【题目编号】MC1-1136
【题目】场效应晶体管的三个基本电极是：
【答案】A
[A]源极、栅极、漏极
[B]阴极、栅极、屏极（板极）
[C]发射极、基极、集电极
[D]阴极、门极、阳极
考点速览
这道题问场效应晶体管的三个基本电极。答案是源极、栅极、漏极。场效应管（Field Effect Transistor，FET）是半导体器件中的电压控制型单极性器件：单极性指它只靠一种载流子导电，电压控制指它靠栅极电压而不是输入电流来管输出。三个电极的名字直接对应这套工作原理，认准它们，后面读放大电路、判断引脚接法、理解跨导参数才有落脚点。
四个选项分别来自四个器件家族。快速分辨靠两组关键词：带"源极、漏极"的属于场效应管，带"发射极、集电极"的属于双极型晶体管，带"阴极、屏极"的属于电子管，带"门极"的属于晶闸管。这道题的第一组关键词就在选项里摆着。
"源"与"漏"：一条沟道里的水流
源极（Source，S）与漏极（Drain，D）的命名取自载流子的流向：多数载流子从源极进入沟道，经由沟道流向漏极。用水做类比很贴切——水从水源流进渠道，从排水口流走，源与漏正是这条沟道的两端。以常见的 N 沟道管为例，电子从源极流向漏极，常规电流方向则相反。
栅极（Gate，G）取"栅栏"之意。它像一道架在沟道旁边的控制栅栏，加在栅极上的电压通过电场改变沟道的宽窄和载流子浓度，从而控制源漏之间能通过多少电流。"场效应"三个字由此而来：靠电场（field）产生效应，而不是靠向控制端注入电流。栅极本身几乎不取电流，输入阻抗极高，这是场效应管在高阻抗输入场合受欢迎的原因。
区分源极和漏极在结构上并非绝对对称，多数管子的衬底与源极相连，源漏之间不能随意对调使用；但在不少开关应用里，两者互换也能工作，具体要看数据手册的结构说明。
逐项辨析
选项 A 正确：源极、栅极、漏极是场效应管三个电极的标准名称，与 Source、Gate、Drain 一一对应，命名逻辑与载流子自源入、由漏出的流向完全吻合。
选项 B 错误：阴极、栅极、屏极（板极）是电子三极管的电极。真空管靠阴极加热发射电子、屏极收集，虽然也有"栅极"并且同样是电压控制，但那是真空中的热电子发射，与半导体沟道是两套完全不同的物理过程。
选项 C 错误：发射极、基极、集电极是双极型晶体管的电极。那种管子是电流控制器件，靠基极电流控制集电极电流，本征参数是电流放大倍数，与场效应管的源栅漏和三要素都不同。
选项 D 错误：阴极、门极、阳极是晶闸管家族的电极名。晶闸管是功率开关器件，靠门极触发导通，与场效应管用于信号放大的定位不是一回事。
结型与绝缘栅：两类场效应管，同一套电极名
场效应管按栅极结构分两大支。一支是结型场效应管（Junction FET，JFET），它的栅极与沟道之间形成一个 PN 结，靠给这个结加反向偏置来改变耗尽层宽度，从而夹窄沟道、控制电流；栅压必须让 PN 结保持反偏，所以栅极电压的极性是有约束的。
另一支是绝缘栅场效应管（Insulated Gate FET，IGFET），最常见的形式是金属—氧化物—半导体场效应管（Metal-Oxide-Semiconductor FET，MOSFET）。它的栅极与沟道之间隔着一层极薄的绝缘氧化层，栅极与沟道在电气上完全隔离，输入电阻比结型管还高得多；栅压靠电场在半导体表面感应出反型层，形成导电沟道。绝缘层很薄，使用和存放时要防静电，这是爱好者装配时最常被提醒的一条。
不管哪一支，三个电极的名字都统一叫源极、栅极、漏极，参数也统一用跨导衡量。区别只在栅极怎么造、栅压怎么加，不影响电极命名，这也是这道题只考命名、不考结构的用意。
应试要点
场效应管记"源、栅、漏"三字，对应英文 S、G、D。"源"是载流子入口，"漏"是出口，"栅"是控制闸门。看到"发射极、基极、集电极"归双极型晶体管，看到"阴极、栅极、屏极"归电子管，看到"门极"归晶闸管。命名一旦分清，参数题也不会再串。
