【题目编号】MC1-1143
【题目】若将器件上起控制作用的电极按输入阻抗由低到高排列，则可以是：
【答案】A
[A]双极型晶体管的基极、结型场效应管的栅极、绝缘栅场效应管的栅极
[B]双极型晶体管的基极、绝缘栅场效应管的栅极、结型场效应管的栅极
[C]绝缘栅场效应管的栅极、双极型晶体管的基极、结型场效应管的栅极
[D]结型场效应管的栅极、双极型晶体管的基极、绝缘栅场效应管的栅极
考点速览
本题考三种器件控制电极的输入阻抗高低排序。器件按结构不同，控制端（基极或栅极）对输入信号呈现的阻抗天差地别，从几百欧到近于无穷大。理解这个排序，是选择放大器输入级、判断信号源负载是否匹配的基础。这道题把“双极型管基极、结型场效应管栅极、绝缘栅场效应管栅极”三者的输入阻抗由低到高排列，考的是器件结构决定输入特性的原理。
原理与依据
输入阻抗的本质，是控制电极从信号源看进去的等效交流电阻。双极型三极管的控制极是基极，基极与发射极之间是一个正向偏置的 PN 结（发射结）。正向偏置的 PN 结导通时电流大、动态电阻小，所以基极输入阻抗低，典型值在几百欧到几千欧量级。它工作时要从信号源索取一定的基极电流，属于电流驱动。
结型场效应管（JFET）的栅极与沟道之间是一个反向偏置的 PN 结。反向偏置的 PN 结几乎不导通，只流过极小的反向漏电流，动态电阻极高，所以 JFET 栅极输入阻抗高达兆欧（10^6 Ω）级，典型值 10^8～10^9 Ω 左右。它几乎不从信号源取电流，是电压驱动。
绝缘栅场效应管（IGFET，最常见是 MOSFET）的栅极与沟道之间隔着一层极薄的二氧化硅（SiO2）绝缘层，栅极根本不与半导体直接接触。绝缘层的电阻近乎无穷大，栅极漏电流只有皮安级甚至飞安级，输入阻抗可达 10^9～10^15 Ω。它是三者里输入阻抗最高的。
于是按输入阻抗由低到高，顺序为：双极型晶体管基极 < 结型场效应管栅极 < 绝缘栅场效应管栅极。
逐项辨析
选项 A 正确：双极型管基极（正偏 PN 结、低阻）、结型场效应管栅极（反偏 PN 结、高阻）、绝缘栅场效应管栅极（氧化层隔离、阻值最高），正好由低到高。
选项 B 错误：把结型场效应管与绝缘栅场效应管的顺序颠倒了。绝缘栅场效应管栅极有氧化层绝缘，输入阻抗高于靠反偏 PN 结的结型场效应管，应当排在最后，而不是排在结型管之前。
选项 C 错误：把绝缘栅场效应管排在了最前面。绝缘栅管的输入阻抗是三者最高的，由低到高排列时应在末位，放首位直接违背物理事实。
选项 D 错误：把结型场效应管排在了最前面。结型管栅极是反偏 PN 结，输入阻抗远高于正偏 PN 结的双极型管基极，不可能比基极还低，排在首位错误。
易混淆点
容易混淆的是结型与绝缘栅两类场效应管谁的输入阻抗更高。判据看栅极与沟道之间是什么：结型管是 PN 结（反偏），靠耗尽层隔离，仍有纳安级反向漏流；绝缘栅管是二氧化硅绝缘层，物理上完全隔断，漏流小到皮安级，所以绝缘栅更高。另一个易混点是“输入阻抗”与“跨导”的关系——输入阻抗讲的是控制端取不取电流、阻值多大，跨导讲的是控制电压调动多少输出电流，两者一个看输入端、一个看输出端，不能互相替代。高输入阻抗是场效应管（尤其绝缘栅管）相较双极型管的最大优势，用它做输入级可以不加重前级负担。
应试要点
记一个递增链条：基极（正偏结）< 结型栅（反偏结）< 绝缘栅（氧化层）。双极型管输入阻抗低、是电流控制；场效应管输入阻抗高、是电压控制，绝缘栅最高。看到“由低到高”，把绝缘栅场效应管放在最后。
