【题目编号】MC1-1071
【题目】附图中的电路元器件符号代表：
【答案】A
[A]NPN 双极型晶体管
[B]PNP 双极型晶体管
[C]结型场效应晶体管
[D]绝缘栅场效应晶体管
考点速览
这道题与相邻的 PNP 型符号辨认题是一对，考查判据完全相同，结论却相反：题干附图给出的是 NPN 型双极型晶体管（以官方答案为准），干扰项里摆着 PNP 型。把这两题放在一起练，可以检验自己是不是真的掌握了发射极箭头的读法，而不是靠图形位置或笔画多少碰运气。三极管符号是模拟电路图的入门门槛，读错箭头方向，后续的偏置计算、电源极性判断都会跟着错。
三极管符号为何箭头只画在发射极
双极型晶体管（bipolar junction transistor，缩写 BJT）的符号骨架由一段竖直线段和两条斜线构成：竖线代表基区，两条斜线分别接到发射极（emitter，符号 E）与集电极（collector，符号 C），基极（base，符号 B）从竖线中部或侧面引出。三个电极里只有发射极带箭头，集电极永远是素线。这个约定的依据是载流子的实际流向：发射极负责向基区发射载流子，箭头标的就是发射极电流的正方向，也就是常规电流由 P 型区流向 N 型区的方向。箭头不表示电压高低，也不表示管子是否损坏。
NPN 型的三层材料排列是 N 型、P 型、N 型：中间的基区是 P 型，两端的发射极与集电极都是 N 型。发射结既然由 P 型的基极指向 N 型的发射极，箭头自然从基极一侧指向发射极一侧，画出来就是箭头背离竖线向外，或者说箭头从基极朝外指。这正是本题附图给出的 NPN 型的识别特征。
电流关系与放大倍数
放大状态下三个电极电流满足 I_E = I_B + I_C，发射极电流是基极电流与集电极电流之和，这是基尔霍夫电流定律在管子三个端子上的直接体现，三个电流的量纲都是安培，写成算式时不需要任何换算系数。
共射接法是最常用的组态：基极作输入，集电极作输出，发射极作为公共端。这时基极电流的微小变化能引起集电极电流的较大变化，两者之比就是共射电流放大倍数，记作 β，算式为 β = I_C / I_B。分子分母都是电流，量纲相消，所以 β 是一个纯数，没有单位，常见数量级在几十到几百之间。另一个常用参数是共基电流放大倍数 α，等于集电极电流除以发射极电流，即 α = I_C / I_E，由电流关系可以推出 α 必然小于一但非常接近一。
管子要进入放大区，条件是发射结正向偏置、集电结反向偏置。两个结都正偏会进入饱和区，两个结都反偏则进入截止区，这两组状态正是它当开关使用时需要来回切换的。放大区里管子同时满足电流放大关系与结偏置条件，缺一不可。
逐项辨析
选项 A 是 NPN 双极型晶体管。判据是发射极箭头背离基极、朝外指，对应基区为 P 型、发射极与集电极均为 N 型的结构。箭头朝外还顺带提示了电流方向：发射极电流是流出管外的。本题附图给出的是它（以官方答案为准）。
选项 B 是 PNP 双极型晶体管。它与 NPN 的差别只在箭头方向：PNP 的基区是 N 型、发射极是 P 型，箭头由发射极指向基极，朝里指。只要把箭头方向看反，这一项就会被误选，所以辨析时不要看三个电极的排布位置，直接盯箭头。
选项 C 是结型场效应晶体管（junction field effect transistor，缩写 JFET）。它没有发射极箭头这一说，符号里是一条代表沟道的竖线，源极（source，符号 S）与漏极（drain，符号 D）分别接在竖线两端，栅极（gate，符号 G）从侧面引出并带箭头，箭头指向沟道或背离沟道用于区分沟道类型，栅极与沟道之间是一个 PN 结而不是绝缘层。骨架与三极管不同，根本没有发射极这一电极。
选项 D 是绝缘栅场效应晶体管（metal oxide semiconductor field effect transistor，缩写 MOSFET）。它的栅极与沟道之间隔着绝缘层，符号上用一条独立短线或一道空隙表示；增强型管子还常把沟道画成断续几段。这种绝缘栅画法是它与结型场效应管、双极型晶体管的分水岭，本题附图中没有出现。
易混淆点：NPN 与 PNP 别记反
最容易出错的是把两种管子的箭头方向记反。可靠的记法有两条。一条从 PN 结出发：箭头永远由 P 型区指 N 型区，NPN 的发射结是基极 P 指向发射极 N，所以朝外；PNP 的发射结是发射极 P 指向基极 N，所以朝里。另一条从英文缩写出发，NPN 读作 Not Pointing iN，字面意思就是箭头不朝里；PNP 读作 Pointing iN，箭头朝里。两条记法互相印证，考场上不会摇摆。
还要顺带区分三极管与场效应管：三极管是电流控制器件，靠基极电流控制集电极电流，输入端有持续的基极电流；场效应管是电压控制器件，靠栅源电压控制漏极电流，栅极基本不取电流，输入阻抗高出好几个数量级。符号上有发射极箭头的是三极管，没有这个箭头、靠栅极与沟道关系表达类型的是场效应管。
应试要点
箭头朝外是 NPN，箭头朝里是 PNP，判据只看发射极那一个箭头。箭头方向永远由 P 型区指向 N 型区。放大区条件是发射结正偏、集电结反偏；I_E = I_B + I_C；共射放大倍数 β = I_C / I_B，共基放大倍数 α = I_C / I_E，两者量纲都为纯数。栅极与沟道成 PN 结的是结型场效应管，栅极与沟道之间有绝缘间隙的是绝缘栅场效应管。
