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MC1-1129-如何根据外观识别半导体二极管的负极?
MC1-1129 讲二极管负极的外观识别方法:封装上靠近阴极的一端印有色环、色带或平边,插件的长短脚与贴片的条纹标记都遵此规律,并澄清印字标注、引脚长度差两成、键标灯丝这三种说法为何不成立,另附万用表实测的判据。
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MC1-1129 讲二极管负极的外观识别方法:封装上靠近阴极的一端印有色环、色带或平边,插件的长短脚与贴片的条纹标记都遵此规律,并澄清印字标注、引脚长度差两成、键标灯丝这三种说法为何不成立,另附万用表实测的判据。
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MC1-1128 说明二极管两个电极的标准叫法:接 P 区的阳极也叫正极,接 N 区的阴极也叫负极,并逐项澄清源极漏极、阴极屏极、门极基极这三组术语分别属于场效应管、电子管与晶闸管或三极管,读电路图时不能互相借用。
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MC1-1127 判断哪种元件只允许电流单方向流动:二极管靠半导体的单向导电特性实现,其余蓄电池、变压器、继电器都能双向通流,并说明二极管的反向漏电与反向击穿使单向导电只是正常工作范围内的工程近似,而非严格的零电流。
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MC4-1126 说明有源器件的分类判据:硅整流二极管、肖特基二极管、场效应三极管、双极型三极管都靠半导体结上的载流子运动工作,都具有非线性受控伏安特性,因此四项全属有源器件,并解释只看功率增益会误判二极管。
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MC1-1125 三十一点八毫亨电感在五十赫兹感抗十欧,推算五兆赫应达一兆欧却明显偏小:线圈匝间分布电容与电感并联,在高频形成低阻旁路并使线圈越过自谐振点转为容性,因此实测阻抗远低于理想值。
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MC2-1124 三十一微法电容在五十赫兹容抗一百欧,推算五兆赫应为一毫欧却明显偏大:引线电感在该频率已升至零点几欧并超过容抗,介质损耗又使等效串联电阻降不下来,所以实测阻抗远高于理想计算值。
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MC1-1123 比较同材质同直径同长度的实心铜线与空心铜管:低频时实心线有效截面更大因而损耗更小,高频时电流都挤在厚度远超趋肤深度的表层里,两者有效导电截面相同,损耗也就相等,并说明散热条件只影响温升而不影响发热功率本身。
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MC1-1122 解释数十兆赫射频电路里实心导线的电流为什么只走表层:交变磁场在导线内部感生反向涡流,使电流密度向内按指数衰减,并给出铜的趋肤深度算式与工程对策,同时排除均匀分布与两层反向的说法。
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MC3-1121 讲传输线变压器为何能在几个倍频程内保持匹配:能量以传输线模式传递、磁芯只用来抑制共模,因此兼顾宽带阻抗匹配、平衡不平衡转换与功率合成分配,而倍频分频要靠非线性器件,不属于它的功能范围。
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MC1-1120 把四百五十欧天线阻抗匹配到五十欧收发信机,靠阻抗比等于匝数比平方的平方根关系求出匝数比三比一,并说明九比一是把阻抗比直接当匝数比的典型错法,顺带给出巴伦的实际绕制方向。